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通用的沉积技术有化学气相淀积(cvd)、蒸发和溅射pvd。一般来说,其中还要夹杂低温(≤500℃)退火工艺等热处理工艺,用以增进金属层和半导体之间的低电阻接触、消除内应力等。设备运行过程中需要高洁净的真空环境,一般采用以磁悬浮分子泵为主的无油真空系统。
刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的过程。刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确地掩膜图形。现代化的干法刻蚀设备包括复杂的机械、电气和真空系统,爱发科涡轮分子泵维修采购,同时配有自动化的刻蚀终点检测和控制装置。刻蚀应用工况复杂,清远爱发科涡轮分子泵维修,清洁性差,充入特种气体种类繁多,因此需要特殊处理的干泵和磁悬浮分子泵。
离子注入设备:离子注入是指在真空环境下,当离子束射向固体材料时,受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低下来,并很终停留在固体材料中的现象。离子注入是半导体表面附近区域进行掺杂的主要技术,其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入机是集成电路制造工序中的关键设备,需要高清洁的真空环境,以---离子掺杂浓度和剂量的准确性。
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真空近年来陆续发布了多个型号的twistorr分子泵,该系列把分子泵的典型工作范围从高真空扩展到了真空。近日,针对一些对压缩比要求不高而气体流量很大的应用,真空又发布了谱拓系列分子泵。该系列包含305fsq、305-icq,以及两个带有中间抽气口的型号305sf和305-icsf。305fsq和305sf通过独立的控制器供电和控制,爱发科涡轮分子泵维修公司,而305-icq和305-icsf具有集成于泵身的控制器,只需要为其提供24v电源即可工作。
---450sccm的氮气流量
305fsq和305sf可以处理很大450sccm的氮气流量,和很大500sccm的氢气/---气流量,在同等抽速和功率的产品中,是要求高气体流量的科研和工业应用的理想选择。而具有集成式控制器的305-icq和305-icsf也可以处理很大380sccm的氮气流量,和很大500sccm的氢气/---气流量,可以应对绝大多数的仪器应用。
改进的转子结构
谱拓系列分子泵拥有的转子结构:比其他305分子泵增加了一级涡轮叶片,并采用了与其他305分子泵不同的牵引级。牵引级是专为---载而设计的,它拥有更宽大的气体通道,解决了其他牵引级结构在高负载长期运行时---集中的问题,可以承受持续的---体流量,并可将前级耐压提高至16mbar。
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分子泵入口应装设防护网,以避免异物进入泵内损坏泵转子和定子叶片。抽气系统装有单独粗抽管路的涡轮分子泵抽气系统的操作方法与扩散泵抽气系统相似。在开始粗抽以前,高真空阀和粗抽阀是关着的,而前级管道阀是打开的。首先关闭前级阀,启动粗抽泵(兼前级泵),爱发科涡轮分子泵维修报价,打开粗抽阀开始对真空室进行抽气。在真空室内的压力降到150~100pa时关闭粗抽阀,打开前级管道阀,再启动涡轮分子泵(需先接通冷却系统)。
如果分子泵入口处装有液氮冷阱,则应在泵加速到额定转速后(一般需5~10min)加注液氮。1-涡轮分子泵;2-液氮冷阱;3-放气阀;4-电离规;5-热传导规;6-粗抽阀;7-机械泵;8-前级管路阀;9-高真空阀。图1 典型涡轮分子泵抽气系统粗抽系统的配置随真空室的容积大小而有所不同。对500l/s或更小的涡轮分子泵来说,可采用一台双级旋片泵;1000l/s以上的涡轮分子泵则采用以机械泵为前级泵的罗茨泵机组。
在压力为100到150pa时关闭粗抽阀,把真空室切换到涡轮分子泵上。对某些泵,这样做会引起轻微而滞后的瞬时减速,但这对抽气并无影响。正如扩散泵抽气系统那样,涡轮分子泵系统中的很主要的物质是水蒸气,其臭气时间将受液氮冷阱抽速的支配。如果不用液氮冷阱,那么这个系统抽除水蒸气的速度就会比同样抽速的无冷阱扩散泵略慢一些。
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